 详细列表 |
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| 基于半导体工艺的微型光器件制造技术
- 2005-04-23 - |
| 在光学器件制造领域，人们一直试图将光放大器、激光器、隔离器、光开关、滤光器和可调性等器件或功能集成在一个光模块上，并用现有的半导体制造工艺技术实现光器件的大批量生产，从而大幅度降低光学器件的成本。本文概要介绍了亚波长光学器件(SOE)制造技术，它向人们展示了微型光通信器件制造技术的重大变革，值得引起中国电子行业的密切关注。 |
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| 碳纳米管薄膜的多维定向生长
- 2005-04-09 - 张政军 |
| 随着对碳纳米管研究的不断深入，对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性，对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。CVD方法是制备大面积碳纳米管阵列的常用方法，我们着重介绍了碳纳米管在CVD方法生长初期的自组装微结构特点。在此基础上，讨论了碳纳米管阵列的生长机理和选择性生长现象。基于此现象，我们制备出了碳纳米管多维结构，并将在众多的领域具有广泛的应用前景。 |
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| TiN及 AIN薄膜的制备和光学性能研究
- 2005-04-09 - |
| 研究了反应溅射法制备 AIN、TiN薄膜的工艺过程，摸索了用于磁光盘介质层的AIN、TiN薄膜的最佳制备工艺，并研究了采用此工艺制备的AIN、TiN薄膜的光学性能。 |
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| 硬质薄膜材料的最新发展及应用
- 2005-04-09 - 吴大维 |
| 综述了硬质薄膜材料的最新研究状况。硬质薄膜的设计向着多元化、多层膜的方向发展。本征超硬薄膜材料，如：金刚石、C-BN、B4C、TiB2、BC4N等的硬度可以达到50－80GPa。纳米超晶格薄膜和纳米晶复合膜两类新的超硬薄膜的硬度分别随超晶格的调制周期减小，纳米晶晶粒尺寸减小而增加，它们的硬度都能达到40－70 GPa。最高硬度的薄膜材料nc-TiN / a-Si3N4采用PCVD方法制备，加载30mN测得塑性硬度（Plastic hardness）H=110GPa； 加载70Mn，H=80 GPa。本综述对硬质薄膜的应用前景做了展望。 |
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| 溅射技术发展的历程
- 2005-04-09 - 王怡德 |
| 从溅射技术问世以来，处于不断改进的过程。围绕提高溅射速率；提高运行稳定性；改变供电模式；提高膜层质量等等方面，不断地推出新的工作模式。本文试图在整个发展历程中，寻找某些规律，提供一些构思，参与溅射技术发展的讨论。 |
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| 薄膜材料结构与性能表征的若干研究进展
- 2005-04-09 - 徐可为 |
| 本文针对薄膜的结构性能特点，集中探讨了薄膜屈服强度与微结构，薄膜力学性能与功能性，薄膜力学性能测试与表征等科学问题。通过对几种膜基体系的研究，从理论上证明薄膜屈服强度高于相应的整体材料，且随膜厚或晶粒尺寸的倒数成线性增加。指出薄膜中的正常晶粒生长存在膜厚效应，薄膜的择优取向取决于表面能、界面能和应变能之和。认为薄膜电阻率与残余应力存在对应关系。首次提出了薄膜划擦临界载荷的物理表征以及划擦实验卸载剥落抗力评价指标，并计算了薄膜的断裂韧性。 |
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