蓝色激光所使用的半导体材料GaN(氮化镓) 商业应用研究始于1970年，GaN在高频和高温条件下能够激发蓝光的独特性质从一开始就吸引了研究人员极大兴趣，但是相关制造工艺到近几年才取得实质性突破。1992年被誉为GaN产业应用鼻祖的美国Shuji Nakamura教授制造了第一支GaN发光二极管；1999年日本Nichia公司制造了第一支GaN蓝色激光器，而到了2001年底，GaN半导体材料在薄膜和单晶生长技术、光电器件方面才有重大技术突破，并被运用

    在光显示、光存储、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域。而在家庭等商业用途方面，蓝色激光的运用也不是一路平坦。飞利浦曾提出液体浸透（Liquid Immersion）技术，采用波长257nm的深紫外线激光器和开口数（NA）为0.9的物镜。JVC的光学系统由波长266nm的深紫外线激光器和NA为0.9的物镜组成，激光光束的焦点由深紫外线激光器直接控制，不需另备红色激光进行聚焦控制。日立及三菱的研究小组采用将激光光束分成主激光光束和副激光光束的"光学干扰消除器的平坦性。